- 发布日期：2025-07-13 18:48 点击次数：193
（原标题：联电先进封装，拿下大客户）
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开头：骨子来自经济日报。
联电跨足先进封装大跃进，夺下高通大单，自行开发的高阶中介层（Interposer）也获取高通考据，迈入量产出货倒数计时阶段。法东说念主看好，联电透过跨国调和，联袂外洋大厂抢食AI等高速运算大商机，后市看俏，并可藉由互异化上风，缩短红色供应链在纯熟制程晶圆代工市集热烈竞争的侵扰。
联电不驳斥特定客户，强调先进封装是该公司积极发展的重心，将联袂智原、矽统等转投资作事，以及华邦等精采体伙伴，联袂打造先进封装生态系。
联电客岁底联袂高通张开高速运算先进封装调和，锁定AI PC、车用，以及当红的AI伺服器市集，陆续传出佳音。
供应链透露，联电第一批中介层1500电容已通过高通的电性测试，当今运行试产，瞻望2026年首季有契机量产出货，高通并购置炉管机台放在联电厂房，突显两边调和精细。业界分析，这次联电通过高通认证的居品采纳1500nF/mm^2电容，主要搭配高通的IC和精采体所需要的电容值。
业界东说念主士指出，联电布局先进封装，先前在制程端仅供应中介层，哄骗在RFSOI制程，对营收孝顺有限。跟着高通采纳联电先进封装制程打造高速运算芯片，近期两边调和又进一步发展．对子电来说将能缩短红色供应链在纯熟制程的廉价竞争，闯出一条不同之路。
先进封装本事方面，举例2.5D和3D封装这些封装步地需要将多个芯片堆叠或并列遗弃，这时候中介层电容就显得相配遑急。
据悉，先进封装最要道制程即是需要曝光机台制造的中介层，加上需要超高精密经过的矽穿孔，让2.5D或3D先进封装堆叠的芯片讯号可互联系系，联电具备分娩中介层的机台开导除外，十年前就已将TSV制程哄骗超微GPU芯片订单上，配资股票等于联电完好意思具备先进封装制程量产本事的先决条款，是获取高通醉心的主要原因。
法东说念主看好，联电有关政策刚烈化先进封装生态系与客户黏着度，因为高通不仅下单，致使购置炉管机台放进联电厂房，骄横调和深度高、信任感强，联电也借此联结旗下智原、矽统、华邦等公司及伙伴，进一步建构先进封装的完满生态系。
在切入先进封装领域诞生互异化上风之际，联电的晶圆代工本业也积极鼓励高压制程本事，包括14纳米鳍式场效电晶体（FinFET）镶嵌式高压制程本事平台（14eHV）有新进展，与英特尔调和也传出将由原策画的12纳米延迟至6纳米，卡位先进制程市集。
联电客岁斥资156亿元进入研发，专注开发5G通信、AI、物联网及车用电子等领域所需的制程本事，并钻研独特制程，在12纳米和14纳米独特制程及3D IC先进封装研发也有进展。
联电董事长洪嘉聪指出，12纳米FinFET制程本事平台（12FFC）相较于14纳米本事（14FFC），芯片尺寸更小、功耗更低，性能大幅普及，充分发挥FinFET的上风，可闲居哄骗于多样半导体居品。
洪嘉聪说，与14FFC比拟，12纳米本事在优化的FinFET开导下，可竣工10%的性能普及，透过缩短电压减少20%功耗，采纳六走线轨说念假想，使面积减少进步10%，并从简三层光罩，进一步增强联电本钱竞争力。
联电精进制程研发之余，也扩大外洋调和。近期市集传出，联电正探索与英特尔延迟制程调和的可能性。
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